عرضت شركة سامسونج للإلكترونيات اليوم الأربعاء رقاقة V- ناند واحد تيرابت (Tb) التي تهدف إلى تلبية الطلب المتزايد في السوق والتطورات التكنولوجية في مجال معالجة البيانات وتخزينها.

وقالت الشركة إن وصول شريحة V-ناند 1Tbفي العام القادم سوف يمكن الذاكرة 2 تيرابايت في حزمة V- ناند الفردية من الموت من خلال تكدس 1(Tb) ويمثل واحدة من أهم الذاكرة المتقدمة في العقد الماضي.

يذكر أن التيربايت يعادل نحو 1,000 غيغابايت، وهو ما يكفي لتخزين نحو 60 فلما عالي الوضوح يبلغ طول الفلم ساعتين.

وقالت سامسونج، إن تكنولوجيا V- ناند مهمة لكونها تتغلب على محدودية تكنولوجيا 2Dناند فيما يتعلق بالسعة من خلال تصميم عمودي.

وأضافت الشركة، إنه مع الزيادة السريعة في التطبيقات كثيفة البيانات عبر العديد من الصناعات باستخدام الذكاء الاصطناعي وإنترنت الأشياء، فإن دور ذاكرة الفلاش أصبحت حاسمة للغاية في تسريع سرعة المعلومات التي يمكن استخراجها لتحليل الوقت الحقيقي.

كما عرضت سامسونج أيضا الجيل القادم من عامل الشكل الصغير (NGSFF) SSDالذي يمكنه تحسين سعة التخزين بشكل كبير.

وذكرت الشركة أن الحل الجديد يمكنه زيادة السعة التخزينية أربع مرات مقارنة مع الحلول السابقة، وأضافت إن الإنتاج الضخم لـNGSFF SSDسوف يبدأ في الربع الأخير من عام 2017.